Western Digital y Kioxia (a.k.a Toshiba Memory) anuncian memoria BiCS5 con diseño tridimensional que ofrece hasta 40% mayor capacidad.
Western Digital y Kioxia (antes llamado Toshiba Memory) son dos jugadores muy importantes que compiten en la industria de discos duros. Sin embargo, en el espacio de productos basados en memoria NAND Flash, son partners muy cercanos con una larga trayectoria desarrollando memoria BiCS FLASH que se caracteriza por tener un diseño tridimensional (3D NAND).
Continuando con el desarrollo de memoria 3D NAND que incremente la capacidad de almacenamiento en un espacio mucho más pequeño, Western Digital y Kioxia celebraron que lograron desarrollar la quinta generación de memoria BiCS FLASH de 112 capas verticales.
La nueva memoria BiCS5 FLASH desarrollada por Western Digital y Kioxia también representa un avance significativo en el desarrollo de memoria NAND Flash con diseño tridimensional ya que teniendo una estructura de 112 capas verticales se podrán crear chips TLC (triple-level cell) de 512gigabit (64 gigabytes) de capacidad.
Otra ventaja de la memoria BiCS5 FLASH es que combinando una estructura de 112 capas verticales, un circuito avanzado y un proceso de manufactura especializado se logró incrementar un 20% la densidad de celdas comparado a la generación previa de memoria BiCS4.
También comentan que la quinta generación de memoria BiCS FLASH reducirá el costo por bit e incrementar la fabricación de capacidad de memoria por oblea de silicio. A esto debemos sumar que se ha mejorado un 50% la velocidad de interfaz, ofrece un mejor rendimiento programación y se ha reducido la latencia.
En cuanto a su aplicación destacan que los chips BiCS FLASH de quinta generación (BICS5) podrían usarse para productos basados en memoria 3D NAND TLC de 1 terabit (128 gigabytes) y en productos basados en memoria 3D NAND QLC (quad-level-cell) de 1.33 terabit.
Aún no hay noticias de productos que usarán la memoria BiCS5 FLASH, pero seguramente se implementará en diferentes mercados donde se necesita mayor capacidad de almacenamiento, como sería: dispositivos móviles, SSDs de grado consumidor y enterprise, aplicaciones emergentes, redes 5G, inteligencia artificial y vehículos autónomos.
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