Samsung es uno de los gigantes de semiconductores que inició la transición a memoria NAND con diseño tridimensional (mejor conocida como 3D NAND) hace 6 años. Hoy, el gigante surcoreano anunció que ha iniciado la producción en volumen de los primeros productos basados en memoria V-NAND de 6ta Generación.
Para aquellos que no lo recuerden, la memoria V-NAND es el nombre comercial que le dio Samsung a su memoria NAND con diseño tridimensional (3D NAND). La novedad de la memoria V-NAND de 6ta generación radica en que está fabricada con más de 100 capas apiladas, ofrece 10% menos latencia y reduce hasta en un 15% el consumo de energía con respecto a memoria V-NAND de generación previa.
La memoria V-NAND de 6ta Generación representa un avance importante en el desarrollo de memoria 3D NAND (diseño tridimensional) ya que los nuevos chips de memoria utilizan hasta 136 capas en un sólo chip, mismos que utilizan un nuevo diseño de circuito optimizado para reducir la latencia.
Algo muy interesante a destacar del nuevo diseño de memoria V-NAND de 6ta generación, es que las capas de celdas están interconectadas mediante 670 millones de orificios, lo cual representa una reducción de 27% menos que la generación previa que utilizaba 930 millones de orificios.
Evolución de la Producción de memoria Samsung V-NAND
| Fecha | V-NAND |
| Julio 2013 | 1era Generación (24-capas) V-NAND MLC 128Gb |
| Augosto 2013 | 1era Generación V-NAND MLC 128Gb / SSD de 960GB |
| Agosto 2014 | 2da Generación (32-capas) V-NAND TLC 128Gb |
| Septiembre 2014 | 2da Generación V-NAND SSD |
| Agosto 2015 | 3era Generación (48-capas) V-NAND TLC 256Gb |
| Septiembre 2015 | 3era Generación V-NAND / SSD ‘850 EVO’, ‘950 PRO’ |
| Deciembre 2016 | 4ta Generación (64-capas) V-NAND TLC 256Gb |
| Enero 2017 | 4ta Generación V-NAND SSD |
| Enero 2018 | 4ta Generación V-NAND 512Gb / SSD SAS 30.72TB |
| Mayo 2018 | 5ta Generación (9x-capas) V-NAND TLC 256Gb |
| Junio 2018 | 5ta Generación V-NAND SSD |
| Junio 2019 | 6ta Generación (1xx-capas) V-NAND TLC 256Gb |
| Julio 2019 | 6ta Generación V-NAND SSD |
De esta forma, Samsung es capaz de fabricar chips 3D NAND TLC (triple-level cell) de 256Gb de capacidad que entregan menos de 450microsegundos (μs) de latencia para operaciones de escritura y menos de 45 μs en operaciones de lectura. Esto se traduce en una mejora de hasta 10% en velocidad comparado a V-NAND de 5ta Generación.
Kye Hyun Kyung, Vice Presidente ejecutivo de Solución de Producto & Desarrollo en Samsung Electronics, comenta:
“Al traer tecnología de memoria con diseño 3D a producción en volumen, somos capaces de introducir a tiempo oferta de memoria que significativamente incrementa la barra de velocidad y eficiencia en consumo de energía.”
“Con ciclos de desarrollo más rápidos para productos V-NAND de siguiente generación, planeamos expandir los mercados para soluciones de alta velocidad y alta capacidad de 512Gb basados en V-NAND.”
Disponibilidad, precio
En lo que respecta a productos basados en V-NAND de 6ta generación, Samsung anunció que ha iniciado la producción de SSDs SATA de 250GB que ya usan chips V-NAND TLC de 136 capas y 256Gb de capacidad. Estos a su vez utilizarán un controlador llamado S4LR030/S94G4MW2.
Cabe mencionar que a finales de este año el gigante semiconductor usará la misma tecnología para el desarrollo de productos de almacenamiento eUFS o para dispositivos móviles.
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