Samsung también eliminará cuellos de botella en smartphones de gama alta con memoria eUFS 3.1 de 512GB y velocidades de hasta 1GB/s.
En la medida que los smartphone se vuelven más poderosos y son capaces de grabar y reproducir contenido multimedia a altas resoluciones, se ha vuelto evidente que la memoria NAND Flash tradicional es el cuello de botella para tener mejores experiencias en dispositivos de gama alta.
Samsung busca resolver este problema anunciando que ha iniciado la producción en masa de “la memoria más rápida para smartphones” denominada eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 de 512GB de capacidad y velocidades de hasta 1GB/s.
Esta noticia se produce a pocos semanas de que Western Digital hiciera lo suyo anunciando su nueva memoria iNAND MC EU521 UFS 3.1 de hasta 256GB que también busca resolver cuellos de botella en dispositivos 5G de próxima generación.
La memoria más rápida para smartphones high-end
De acuerdo al comunicado oficial de Samsung, su memoria embebida eUFS 3.1 para dispositivos móviles de gama alta estará basda en chips de memoria V-NAND de 5ta generación y será producida en masa en la nueva fábrica Xi’an, en China.
Samsung destaca que su memoria es la más rápida para smartphones de gama alta ya que ofrece velocidades de escritura secuencial de hasta 1,200 MB/s. Esto significa que es el doble de rápida que la mayoría de SSDs SATA III (540 MB/s) y hasta diez veces más rápida que las actuales tarjetas de memoria microSD UHS-I que entregan velocidades de hasta 90 MB/s.
Cheol Choi, Vice Presidente ejecutivo de Ventas y Marketing de Memoria en Samsung Electronics, comentó:
“Con nuestra introducción del almacenamiento móvil más rápido, los usuarios de smartphones nya no tendrán que preocuparse sobre cuellos de botella que afrontan con tarjetas convencionales de almacenamiento.
“El nuevo eUFS 3.1 refleja nuestro compromiso continuo de soportar el rápido incremento de demanda de fabricantes de smartphones para este año.”
El gigante surcoreno señaló que su memoria eUFS 3.1 estará disponible en capacidades desde 128GB, 256GB y hasta 512GB y podría ser usada en portátiles ultra-delgadas para facilitar el almacenamiento de archivos de gran tamaño como videos 8K.
También destacan que este nuevo tipo de memoria ayudará a reducir los tiempos de transferencia de archivos, permitiendo mover hasta 100GB de información en tan sólo 1.5 minutos comparado al estándar UFS 3.0 que para mover la misma cantidad necesita más de 4 minutos
En lo que respecta a rendimiento aleatorio, Samsung señala que la memoria eUFS 3.1 de 512GB entregará hasta 60% mayor rendimiento que la versión actual de memoria UFS 3.0, y ofrecerá hasta 100K IOPS de lectura y hasta 70,000 IOPS de escritura.
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