Hace cuatro años, Samsung se convirtió años en el primer fabricante de semiconductores que desarrollo de memoria NAND con diseño tridimensional (3D NAND) como una solución para resolver los retos que afrontaba la industria de ofrecer SSDs (unidades de estado sólido) con mayor capacidad usando memoria NAND tradicional (2D).
Para este 2017, el gigante surcoreano anunció que ha expendido la producción de su memoria 3D-NAND (también conocida como V-NAND) de 4ta generación con la finalidad de satisfacer la demanda de productos de grado consumidor como SSDs, dispositivos móviles y portátiles.
A modo recordatorio, la memoria 3D NAND (o V-NAND como le llama Samsung) se diferencia de la memoria NAND tradicional (2D) por estar fabricada con una estructura tridimensional donde hay celdas apiladas una sobre la otra que a su vez están interconectadas mediante túneles verticales.
Lo novedoso de la memoria V-NAND (4ta gen) de Samsung es que han conseguido desarrollar chips de memoria TLC (Triple-level cell) de 64 capas que tendrán una capacidad de 256Gb. Esto representa un avance significativo si consideramos que hace cuatro años había chips V-NAND de 24 capas y 128Gb.
Por otra parte, Samsung señala que su nueva memoria V-NAND (4ta gen) ofrecerá hasta 30 mejora en velocidad de transferencia y consumo de energía comparado a la generación previa de 48-capas. También revelaron que este tipo de memoria representará el 50% de su producción total de memoria NAND para lo que resta del año.
Kye Hyun Kyung, Ejecutivo Vice-Presidente del equipo de Producto Flash y Tecnología, Negocio de Memoria en Samsung Electronics, comenta:
“Continuando el largo compromiso de innovación tecnológica, continuaremos empujando los limites de generaciones de la industria en la primera producción V-NAND, al mover la industria más cerca a la era terabit de V-NAND,”
“Seguiremos desarrollando productos V-NAND de siguiente generación en sincronía con la industria TI mundial para que podamos contribuir a los lanzamiento establecidos de nuevos sistemas y servicios, al ofrecer un alto nivel de satisfacción para los consumidores.”
Disponibilidad
Samsung todavía no ha revelado productos que usarán este tipo de memoria, pero tomando en cuenta que otros fabricantes como SK Hynix y Toshiba también se están preparando su próxima generación de chips 3D NAND, lo más seguro es que comencemos a escuchar más noticias para finales de este año.
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